物理氣相傳輸法（PVT）是制備碳化硅（SiC）晶體的主流方法之一，PVT法生長SiC單晶，溫度高達(dá)2300℃，生長過程需嚴(yán)格控制生長溫度梯度，其溫度控制系統(tǒng)為閉環(huán)控制，由紅外測溫儀、溫控器、加熱電源以及加熱器（感應(yīng)線圈）組成。

半導(dǎo)體分立器件可靠性測試設(shè)備是專門用于評(píng)估半導(dǎo)體分立器件在各種條件下的可靠性和穩(wěn)定性的工具和系統(tǒng)。這些設(shè)備通過模擬器件在實(shí)際使用中可能遇到的各種環(huán)境和電應(yīng)力情況，對(duì)器件進(jìn)行一系列的測試和監(jiān)測，以確定其是否能夠在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)和特定的條件下正常工作。其主要分為環(huán)境應(yīng)力測試類、電應(yīng)力測試類、其他特殊測試設(shè)備。